KPS-600/20-REL

借助FRAM的功能挑戰(zhàn)超低功耗

　　除具有顯著的節(jié)電優(yōu)勢外，TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列還具有以下無與倫比的特性，超出了開發(fā)人員的預(yù)期：

　　· 的可擦寫次數(shù)。無可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過了產(chǎn)品生命周期本身。

　　· 靈活性。FRAM具有能力，使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費用。

　　· 易用性。FRAM可簡化代碼開發(fā)。由于FRAM無需預(yù)先擦除段，并可基于比被存取，使恒定的即時數(shù)據(jù)記錄成為可能。無線固件更新復(fù)雜程度降低，速度加快且能耗減少。

　　TI超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢

　　· FRAM是的非易失性嵌入式存儲器，可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。

　　· 借助引腳對引腳兼容性和可擴展的產(chǎn)品組合（由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺內(nèi)32KB至128KB的器件組成），使開發(fā)工作變得更輕松。

　　· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性，利用MSP430Ware?來簡化遷移。

　　· 可取代EEPROM，旨在設(shè)計出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的產(chǎn)品。

　　· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。

　　· 適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細(xì)的遷移指南和應(yīng)用手冊，以簡化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。

　　入門

　　開發(fā)人員可通過涵蓋面的培訓(xùn)計劃（包含針對超低功耗平臺各個方面的在線培訓(xùn)和現(xiàn)場培訓(xùn)環(huán)節(jié)）開始使用TI的FRAM MCU產(chǎn)品組合。一系列深入細(xì)致的教程視頻將幫開發(fā)人員快速啟動設(shè)計并在設(shè)計周期的任何階段采用EnergyTrace++技術(shù)和開發(fā)工具對TI的FRAM MCU進行故障排除。

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