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品牌:honeywell 規(guī)格:51304446-200 材質(zhì):懂客戶心,好價等你詢?。?!
產(chǎn)地:原廠

51304446-200  honeywell

片式電感器從制造工藝來分,片式電感器主要有4種類型,即繞線型、疊層型、編織型和薄膜片式電感器。其中,繞線式是傳統(tǒng)繞線電感器小型化的產(chǎn)物,疊層式則采用多層印刷技術(shù)和疊層生產(chǎn)工藝制作,體積比繞線型片式電感器還要小,是電感元件領(lǐng)域重點(diǎn)開發(fā)的產(chǎn)品。片式電感器現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢由于微型電感器要達(dá)到足夠的電感量和品質(zhì)因數(shù)(Q)比較困難,同時由于磁性元件中電路與磁路交織在起,制作工藝比較復(fù)雜,故作為三大基礎(chǔ)無源元件之的電感器片式化,明顯滯后于電容器和電阻器。

繞線型

  它的特點(diǎn)是電感量范圍廣(mH~H),電感量度高,損耗?。碤大),容許電流大、制作工藝?yán)^承性強(qiáng)、簡單、成本低等,但不足之處是在進(jìn)步小型化方面受到限制。陶瓷為芯的繞線型片電感器在這樣高的頻率能夠保持穩(wěn)定的電感量和相當(dāng)高的Q值,因而在高頻回路中占據(jù)席之地。

  NLC型 適用于電源電路,額定電流可達(dá)300mA;NLV型為 高Q值,環(huán)保(再造塑料),可與NL互換;NLFC 有磁屏,適用于電源線。

疊層型

  它具有良好的磁屏蔽性、燒結(jié)密度高、機(jī)械強(qiáng)度好。不足之處是合格率低、成本高、電感量較小、Q值低。

  它與繞線片式電感器相比有諸多優(yōu)點(diǎn):尺寸小,有利于電路的小型化,磁路封閉,不會干擾周圍的元器件,也不會受臨近元器件的干擾,有利于元器件的高密度安裝;體化結(jié)構(gòu),可靠性高;耐熱性、可焊性好;形狀規(guī)整,適合于表面安裝生產(chǎn)。

薄膜片式

  具有在微波頻段保持高Q、高度、高穩(wěn)定性和小體積的特性。其內(nèi)電集中于同層面,磁場分布集中,能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大,在100MHz以上呈現(xiàn)良好的頻率特性。

編織型

  特點(diǎn)是在1MHz下的單位體積電感量比其它片式電感器大、體積小、容易安裝在基片上。用作功率處理的微型磁性元件。根據(jù)集成電路規(guī)模的大小,通常將其分為SSI 、MSI 、LSI 、VLSI。分類的依據(jù)是片集成電路芯片上包含的邏輯門個數(shù)或元件個數(shù)

  小規(guī)模集成電路:SSI (Small Scale Integration )

  通常指含邏輯門數(shù)小于10 門(或含元件數(shù)小于100個)。


中規(guī)模集成電路


  根據(jù)集成電路規(guī)模的大小,通常將其分為SSI 、MSI 、LSI 、VLSI 分類的依據(jù)是片集成電路芯片上包含的邏輯門個數(shù)或元件個數(shù)。

  中規(guī)模集成電路:MSI (Medium Scale Integration )

  通常指含邏輯門數(shù)為10門~99門(或含元件數(shù)100個~999個)。

  例子:數(shù)據(jù)選擇器、編碼譯碼器、觸發(fā)器、計數(shù)器、寄存器等


大規(guī)模集成電路


   大規(guī)模集成電路:LSI (Large Scale Integration ),通常指含邏輯門數(shù)為100門~9999門(或含元件數(shù)1000個~99999個),在個芯片上集合有1000個以上電子元件的集成電路。集成電路(integrated circuit,港臺稱之為積體電路)是種微型電子器件或部件。采用定的工藝,把個電路中所需的晶體管、二管、電阻、電容和電感等元件及布線互連起,制作在小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在個管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成個整體??捎米帜浮癐C”(也有用文字符號“N”等)表示。


超大規(guī)模集成電路


    超大規(guī)模集成電路英文名稱A circuit containing one hundred thousand to one million electronic units on a chip。簡稱“vlsi電路”。指幾毫米見方的硅片上集成上萬至百萬晶體管、線寬在1微米以下的集成電路。由于晶體管與連線次完成,故制作幾個至上百萬晶體管的工時和費(fèi)用是等同的。大量生產(chǎn)時,硬件費(fèi)用幾乎可不計,而取決于設(shè)計費(fèi)用。國際上硅片面積已增至厘米見方,管數(shù)達(dá)十億個而線寬為0至1微米。

  超大規(guī)模集成電路:VLSI (Very Large Scale Integration)

  通常指含邏輯門數(shù)大于10000 門(或含元件數(shù)大于100000個)。直流電法儀


主要包括用于直流電阻率法,直流充電法和自然電場法的儀器。為了在地下建立起足夠強(qiáng)的電流場,直流電法儀的供電部分常采用干電池組或帶整流、濾波部件的交流發(fā)電機(jī)電源裝置,通過電纜送至相應(yīng)的接地供電電,將電流供入大地。利用天然場源的自然電場法僅需測兩測量電間的電位差(ΔUMN),其他方法都要求所使用的儀器既能測ΔUMN,又能測供電電流I的大小。為減少測量誤差,般是用測ΔUMN的同電位差儀測量串接在供電回路中的取樣電阻上的電壓降的方法求出電流I 的數(shù)值。因此,直流電法儀的測量部分,本質(zhì)上就是種直流電位差測量儀。不過,在儀器部件的構(gòu)成方面,比般的電位差儀多了個化補(bǔ)償器。這部分的作用是產(chǎn)生連續(xù)可變的某直流電壓,并將它串接在測量回路中,以補(bǔ)償未向大地供電前測量電間存在的電位差(差)。直流電法儀現(xiàn)時采用的多為靈敏度較高(μV級),輸入電阻較高 (101~103MΩ),能自動跟蹤差變化的直流數(shù)字式電壓表。作為直流電法儀的測量傳感器主要有金屬(銅、不銹鋼)電和不化電兩種。


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